一只 800G 光模块换成 1.6T，外形未必发生多大变化，交换机前面板上的位置也还是那么大。但如果把金属外壳拆开，里面几乎没有

哪个关键环节可以原封不动地沿用。

800G 常见的是 112G 级电 SerDes、约 100G 光 lane，对应 PAM4 符号率大约 53 GBd；到了 1.6T，方向变成 224G 级电 SerDes、

约 200G 光 lane，符号率推到约 106 GBd。名义聚合带宽只是翻了一倍，可真正麻烦的是每一条高速 lane 都变快了。

这也是理解 1.6T 光模块最重要的一点：它不是把 800G 里面的通道数量简单乘二，而是把电接口、DSP、模拟前端、激光器、调制器、

探测器、耦合和散热一起推到更窄的工程窗口里。

如果把完整模块也算作第一层，再沿着信号路径拆下去，刚好能看到这条升级链是怎么一环扣一环的。

整机：真正变化的是每一条高速链路

一只高速可插拔光模块内部同时存在三条流：高速电信号、光信号和热流。

发送方向可以简化为

Host ASIC → SerDes → DSP/Gearbox → Driver → Modulator → WDM/Coupler → Fiber。

接收方向反过来：

Fiber → Coupler/WDM → Photodetector → TIA → DSP → Host。

还有一条经常被忽略的路径：

DSP / Driver / Laser → TIM → Metal Housing → 外部散热界面。

到了 1.6T，这三条路径一起变难。电侧要处理约 100 GBd 量级的 PAM4，光侧要把单通道推向 200G，热侧还要塞进相同等级的可插拔空间里。

01 金属外壳：带宽还没进来，热已经先到了

金属外壳看起来最不像“高速器件”，却是 1.6T 很现实的一道约束。

800G 可插拔模块常见功耗已经在约 15—20W 量级，1.6T 方案可进一步来到约 25—30W，具体会随传输距离和技术路线变化。有限体积内的热流密度随之上升。

所以外壳不仅是机械固定件，还要负责 EMI 接触、导热界面以及向笼式结构传热。DSP、Driver、激光器的热最终都要从这里出去。中际旭创、新易盛、光迅科技等模块

厂商面对的并不是单纯的器件选型，而是整机热路径能不能闭合。

02 高速 PCB：224G SerDes 不喜欢“长路”

主机侧进入模块的第一关，是边缘连接器和高速 PCB。

112G 级 SerDes 继续推到 224G 级后，PAM4 符号率大约从 53 GBd 走向 106 GBd。速率上去之后，PCB 插损、串扰、阻抗不连续、过孔结构都会更加敏感。

DSP 可以做均衡，但它不是魔法。前面的板级链路做得差，后面就要用更重的均衡、更高功耗去补，最后热设计又被拖进来。

中际旭创、新易盛、华工科技等厂商在模块层面要处理的，就是这段从主机接口到 DSP 的高速电路径。

03 DSP：越能“救信号”，自己越热

DSP / Gearbox 是 800G 到 1.6T 升级里很容易被低估的一颗芯片。

它内部不仅有高速 SerDes PHY，还要完成均衡、时钟恢复、lane mapping 和 gearbox，把主机侧的高速电通道重新组织成适合光学发送的 lane。

问题在于，信号越快，需要补偿的高频损耗越复杂。DSP 可以把已经变差的电眼图重新拉回来一部分，却会带来功耗、延迟和散热负担。

Broadcom、Marvell、Semtech 都在这一高速 DSP、SerDes 和模拟链路领域布局。1.6T 继续往上走时，DSP 能做多少补偿，以及补偿要花多少瓦，直接影响整个模块架构。

04 Driver 与 TIA：100 GBd 之后，几毫米都开始有代价

DSP 后面不能直接驱动光调制器，中间还需要发送 Driver；接收侧探测器后面则需要 TIA，也就是跨阻放大器。

这两部分最大的特点是：必须尽量靠近光芯片。

约 100 GBd 量级下，Driver 到调制器、探测器到 TIA 之间那段 RF 互连越长，封装寄生越难控制。驱动带宽、线性度、噪声、结电容和互连寄生会一起影响眼图。

更高 Driver 摆幅可以增加调制深度，却又会增加模拟功耗。Semtech、MACOM、Broadcom 等厂商做的正是这种高速模拟前端。

05 激光源：速率翻倍，不代表光功率白送一倍

光侧从激光器开始。

在 EML 路线中，激光产生和电吸收调制可以紧密集成；硅光 MZM 路线通常依赖连续光 CW Laser，再由硅光芯片完成调制。

不管走哪条路线，200G 单通道都不会让“可用光功率”自动增加。激光器输出功率、RIN、温漂以及进入光芯片时的耦合损耗，都要算进链路预算。

激光器结温发生变化，还会影响输出功率和波长，所以散热设计最后又绕回了光学性能。源杰科技、炬光科技、Lumentum、Coherent 都属于这一链条中的相关厂商。

06 调制器：EML 和硅光 MZM 没有简单赢家

真正到了光模块升级的核心位置，是调制器。

EML 可以理解成 DFB 激光器和 EAM 电吸收调制区紧密放在一起。最大的工程优势很直接：高速 RF 路径短，结构也紧凑。但速率继续向 200G 单通道推进后，器件带宽、

结温和制造一致性都会承受更大压力。

硅光 MZM 则是另一套思路。连续光进入硅光芯片后，通过分光器进入两个相移臂，再合束，把相位变化转化成强度变化。这种方案适合做多通道光路集成，但插损、驱动摆幅、

耦合和热调谐都进入系统权衡。

也就是说，EML 的问题不是“能不能高速”，硅光的问题也不是“能不能集成”。到了 200G lane，真正比较的是带宽、功耗、插损、集成度、温度敏感性以及量产封装能不能同时过关。

07 高速探测器：接收端不只是“有光就行”

发送端把 200G 光 lane 做出来，接收端还要完整接住。

高速探测器可以采用不同材料和集成路线，例如硅光平台上的 Ge 探测结构，或者 InGaAs 探测结构。决定接收性能的也不只是响应度。

带宽、暗电流、结电容，再叠加后面的 TIA 噪声，共同决定高速接收灵敏度。探测器和 TIA 之间的连接同样要极短，否则寄生参数又会开始吃掉带宽。

光迅科技、华工科技、Coherent 等厂商都处在相关高速光器件链条中。

08 WDM 与耦合：光做出来了，还要无损送进光纤

调制后的光最终还要经过 MUX/DEMUX、波导、edge coupler 或 grating coupler，再进入 fiber array。

WDM 的价值很清楚：多路波长可以共用更少的光纤。但代价也同样直接，滤波器插损、波长控制和热稳定都要加入预算。

200G 光 lane 之后，可留给耦合损耗的空间更紧。光芯片与光纤之间的 die placement、光轴偏差以及封装应力都会影响最终损耗。高速光耦合对准进入微米乃至亚微米敏感区时，封装已经不再只是“把器件装起来”。

仕佳光子、光库科技、博创科技、天孚通信等厂商都处在 WDM、光器件或精密光学封装相关环节。

09 光纤、电源和热管理：最后拼的是系统余量

模块走到最后一层，已经不只是光的问题了。

光纤阵列要把信号稳定送出去，DC-DC 要给 DSP、Driver、TIA 和光器件供电，温度监测还要跟踪内部热点。DSP、Driver、Laser 产生的热通过 TIM 进入金属外壳，再传到外部散热界面。

这也是为什么 1.6T 不能只盯着某颗“更快的光芯片”。任何一个局部环节做得太激进，都可能在另外一处付出代价：DSP 均衡更强，功耗增加；Driver 摆幅更高，热量增加；WDM 压缩纤芯数量，滤波和温控压力增加；硅光提高集成度，又要面对耦合和热调谐。

天孚通信、中际旭创、新易盛、太辰光等厂商对应的正是这条从光纤连接到模块整机的工程链路。

从 800G 到 1.6T，最准确的描述其实不是“带宽翻倍”，而是单 lane 从约 100G 走向约 200G之后，整个模块被迫重新平衡一次。

电侧从 112G 级 SerDes 迈向 224G，光侧进入约 100 GBd 的调制与探测带宽区间，DSP、模拟前端、激光器、EML 或硅光 MZM、WDM、耦合和热设计全部被绑在一起。哪条调制路线最终占据更多场景，也不会只由峰值速率决定，而要看带宽、功耗、插损、集成度和量产封装能否在同一个模块里同时成立。

1.6T 真正考验的，不是哪一颗芯片能跑得最快，而是哪套方案能让每一条 200G lane 都留下足够的系统余量。